HfO2 기반 강유전성 터널 소자 개발과 on-전류, on/off 저항 비율 향상

项目来源

韩(略)科(略)

项目主持人

이(略)

项目受资助机构

대(略)과(略)원

项目编号

1(略)3(略)2(略)

立项年度

2(略)

立项时间

未(略)

研究期限

未(略) (略)

项目级别

国(略)

受资助金额

1(略)0(略).(略)元

学科

未(略)

学科代码

未(略)

基金类别

개(略)연(略)육(略)R(略)

关键词

未(略)

参与者

未(略)

参与机构

未(略)

项目标书摘要:Hf(略)의 강유전성 터널(略)하고 성능을 향상(略) 같은 3차년도 (略)1차년도) on-(略)해서는 터널 장벽(略)f1-xZrxO2(略) 최소 임계두께를(略)ff 저항 비율의(略)기 전극과 바닥 (略)만든다. (2..(略)

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