项目来源

台（略）府（略）金（略）B（略）

项目主持人

簡（略）

项目受资助机构

逢（略）電（略）學（略）

项目编号

N（略）0（略）2（略）E（略）-（略）

立项年度

2（略）

立项时间

未（略）

研究期限

未（略） （略）

项目级别

省（略）

受资助金额

1（略）.（略）元（略）

学科

未（略）

学科代码

未（略）

基金类别

學（略）

关键词

複（略）膜（略） （略）板（略）扭（略） （略）子（略） （略）擬（略）;（略）l（略）i（略）T（略） （略）l（略）l（略） （略）i（略）e（略）c（略） （略）a（略）i（略）z（略）o（略） （略）u（略）i（略）T（略）

参与者

簡（略）

参与机构

未（略）

项目标书摘要：本計（略）電場分離結構多晶矽（略）能應用電路的研究”（略）於從多晶矽薄膜電晶（略）入手，我們改善型的（略）前量產的製程上，除（略）設計應用於電路上針（略）能的改善做完整之探（略）晶矽薄膜電晶體由於（略）電流，廣泛地應用在（略）顯示器、太陽能電池（略）件可以應用在大型積（略）上。但此元件在汲極（略）理想效應，如漏電流（略）效應等。過去的研究（略）來改善元件特性；而（略）之前國內外研究思維（略）們提出的高電場與電（略）的不理想效應並提升（略）可進一步減少了製程（略）此結構簡化製程的概（略）(N型)/電子流(（略）分析kink效應、（略）、NP CMOS電（略）體的校正與程式撰寫（略）       本計（略）電場與電流分離的t（略），我們將設計一個較（略）概念來改變汲極端電（略）端的離子化撞擊的元（略）會探討其元件內部物（略）載子游離化的行為及（略）不同的通道長度對元（略）系列分析。第二年持（略）及分析元件的可靠度（略），此外我們會應用模（略）流(N型)/電子流（略）板聚集狀況來分析k（略）重點放在省電議題上（略）結構與製程參數製作（略）FT 電路，探討T（略）子效應及漏電流效應（略）元件及電路特性的提（略）應用於大面積的顯示（略）路效益及節約能源能（略）

Applicati（略）: We prop（略）ears proj（略）d“The stu（略）ved Poly-（略）m Transis（略）rrent and（略）ield Spli（略） and TFT （略）t Power L（略）Design.” （略）t will fo（略）oving som（略）le effect（略）rom devic（略）model, an（略）sed struc（略）ompatible（略） technolo（略） use. A n（略）ing devic（略）d CMOS TF（略）or power （略） solution（略）scussed i（略）ect.     （略）TFTs are （略） in vario（略）including（略）olar cell（略）ntegrated（略）ecause of（略） carrier （略）d driving（略）r the man（略）and appli（略）large-are（略）tronics. （略）known tha（略）e high dr（略）c field (（略）everal un（略）ffects, s（略）e leakage（略）ink effec（略）carrier e（略）entional （略） use the （略）cing the （略）improve t（略）erformanc（略） totally （略）hysical c（略）mprove th（略）rformance（略）nt and el（略）d split s（略）n improve（略）ng struct（略）osed in t（略）. We will（略）topics on（略）alyze kin（略）om hole c（略）ype)/elec（略）t (P type（略）ion at su（略）rt channe（略）evice rel（略）T CMOS in（略）its relia（略）ell as th（略）for TCAD （略）his proje（略）We will i（略）the four （略）ate TFT w（略） and elec（略）split des（略）ain exten（略）late stru（略）duce the （略） cost fir（略） use the （略）odel to a（略）physical （略）f the kin（略）used by t（略）onization（略）s the sho（略）character（略）ell as th（略）lity. In （略）e will in（略）he kink e（略）P devices（略）current (（略）ctron cur（略）e) accumu（略）ubstrate （略）ed device（略） Finally （略）us on gre（略）ic and po（略）solution （略） by using（略）ures to d（略）IC perfor（略）ill be be（略） circuit （略）and power（略）n the dev（略）plying to（略） microele（略） using ou（略）pt device（略）

项目受资助省

台（略）