项目来源

俄（略）础（略）金（略）B（略）

项目主持人

Г（略）и（略）.（略）

项目受资助机构

未（略）

立项年度

2（略）

立项时间

未（略）

项目编号

1（略）2（略）0（略）

项目级别

国（略）

研究期限

未（略） （略）

受资助金额

0（略）卢（略）

学科

未（略）

学科代码

未（略）

基金类别

(（略） （略） （略）6（略）«（略） （略）ц（略）и（略）е（略）у（略）е（略）о（略）ы

关键词

未（略）

参与者

未（略）

参与机构

未（略）

项目标书摘要：Ан（略）аявке: Су（略）статочно （略）сс матери（略）цидов, ко（略） эпитакси（略）иваться в（略） кристалл（略）етку и зн（略）лиять как（略）кие, так （略）еские сво（略）мы кремни（略） – кремни（略）ьный инте（略）тве высок（略）х термоэл（略） материал（略）лициды, с（略）ерманиды （略）акже их т（略）тверные с（略）ства кото（略）известны （略）состоянии（略）ее время （略）иковые си（略）иженной р（略） (наноточ（略）волоки и （略）нтенсивно（略）я с целью（略）ундамента（略）тв, связа（略）тованием （略）ких уровн（略） в связи （略）ьным огра（略）плопровод（略）зитных ма（略） их основ（略）роект пос（略）дованию ф（略）ной пробл（略）ания в кр（略）маний с с（略） поверхно（略） и (100) （略）лоев и/ил（略） полупров（略）станнида （略）оответств（略）нида магн（略）ных сплав（略）дом магни（略）исследова（略）ктуры, те（略）сти, опти（略）нспортных（略）ип провод（略）моэлектри（略）тоэлектри（略）ств, влия（略） и размер（略）таллитов （略）станнидов（略）в, силици（略）в и герма（略）ов магния（略）йства, на（略）ую термоэ（略）ю эффекти（略）щенных на（略）ых матери（略）пектральн（略）одимость.（略）ачей явля（略）отка подх（略）у и легир（略）нида магн（略）д-станнид（略） кремниев（略）х с испол（略） качестве（略）го слоя т（略） олова на（略）последующ（略）ем магния（略） к росту （略）лоев и на（略）ава Mg2Si（略）следующем（略）мультисло（略）мпозитных（略） на их ос（略）т увеличе（略）анокриста（略）лоев до (（略）й задачей（略）ляется ра（略）дхода к р（略）й-германи（略）структур （略）ыми в гер（略）тероэпита（略）лой на кр（略）дложке на（略）нанокрист（略）рманида м（略）манид-ста（略）я (Mg2Gex（略）легирован（略）ванию их （略）ических с（略）строению （略）е фотопри（略）асширенны（略）сть спект（略）пазоном. （略）обенность（略）вляется и（略）е методов（略）ия, встро（略）опряженны（略）ысоковаку（略）дованием,（略）ит изучат（略）изменения（略） и электр（略）йств крем（略）ид (станн（略）иевых и к（略）рманид (с（略）ерманиевы（略）зитных ма（略）процессе （略）разу посл（略）situ мето（略）ят исслед（略）логию, ст（略）тические,（略）кие, терм（略）кие, фото（略）ие и тепл（略） свойства（略）нанокомпо（略）нове крем（略）ния. В ре（略）полнения （略）ут опреде（略）ктивные о（略）енения со（略）окомпозит（略）ых гетеро（略）оптоэлект（略）рмоэлектр（略）ация к от（略）ультатам （略）проекта: （略）активной （略）ной эпита（略）ны двойны（略）уктуры (Д（略）g2Si/Si(1（略）оенным дв（略）ем силици（略）Установле（略）икристалл（略）й кремния（略）мерного с（略）а полност（略）т его пов（略）и темпера（略） и толщин（略） нм. Пока（略）оперечный（略）носителей（略） сплошнос（略）ванного с（略）а: если с（略）охраняетс（略）риводит к（略）ию протек（略）а счет вы（略） носителе（略）лицида; е（略）разрывает（略）ристаллы,（略）ный транс（略）еме сохра（略）при комна（略）атуре, та（略）аждении. （略）, что фор（略）лоя силиц（略）сопровожд（略）орением а（略）я в кремн（略）жке и фор（略）глубоких （略）овней в з（略）зоне крем（略）ией актив（略）В и 250 м（略） зоны про（略） концентр（略）нимой с к（略）й основны（略） в подлож（略）5ти слойн（略）озитах n-（略）о встроен（略）Si обнару（略）ельное ув（略）эффициент（略） (в 5-10 （略）ора мощно（略）орядка) п（略） с исходн（略）ой подлож（略）жена инте（略）ктролюмин（略）и комнатн（略）уре в бли（略）расной об（略）ра (1.2-1（略）p-i-n дио（略）ур Al/a-S（略）i:H(i)/(Н（略）i)x/a-Si:（略）(n+)/ITO/（略）снове гид（略）анного ам（略）мния и вс（略）него муль（略）Mg2Si. По（略） при осаж（略） слой амо（略）ния при к（略）мпературе（略）ремешиван（略）дообразов（略）ают больш（略）, приводя（略）ению на н（略）адиях рос（略）альной фа（略）новыми по（略）овыми сво（略）тановлено（略）ослойном （略）n и Mg пр（略）ханизм ро（略）вляется о（略）и приводи（略）ванию раз（略）ефа с шер（略） около 10（略）обогащени（略）аблюдаетс（略）н Mg2Sn с（略）й его изл（略）аницах зе（略）ования те（略） зависимо（略）а Холла в（略）2Sn показ（略）нелегиров（略）ах основн（略）ями являю（略） подвижно（略）0 см2/(В （略）ые эффект（略）сируют эл（略）подложках（略）водимости（略）0 оС. Выр（略）е нелегир（略）егированн（略）м слои Mg（略） различны（略）ем кремни（略）ено, что:（略） Mg2Sn со（略）еси аморф（略）ременного（略）НК станни（略） гексагон（略）-Mg2Sn) и（略） (cub-Mg2（略）(2) НК Mg（略）рованы пр（略）тноситель（略）ой подлож（略）те пленки（略）x на подс（略）о данным （略）оперечном（略）ружено: (（略）ание гете（略）льного сл（略）ального с（略）ния (hex-（略）ремнии то（略） нм; (2) （略）ная пленк（略） растет н（略） наблюдаю（略） формиров（略）менной и （略）й периоди（略）ктуры; (3（略）x-Mg2Sn с（略）раничной （略）17.5 % в （略） перпенди（略）анице раз（略）2Sn; (4) （略）n растет （略）но от под（略）ри достиж（略）слоя начи（略）оваться а（略）а, а эпит（略） прекраща（略）ами ТФЭ и（略）мпературе（略）ащены тон（略）Mg2Ge и M（略）на кремни（略）)7х7, кот（略）ют непрям（略）ной зоны （略）т 0.63 до（略）то делает（略）тивными д（略） фотоприе（略）лижний и （略）диапазон.（略） холловск（略）истики пл（略）ида магни（略）омном кре（略）жность но（略）рок, 300-（略）ек) и их （略）я (1016 –（略）, а также（略）ь подвижн（略）пературы （略） от 300 д（略）блиографи（略） в авторс（略）и.