项目来源

国（略）科（略）(（略）C（略）

项目主持人

王（略）

项目受资助机构

中（略）院（略）米（略）纳（略）研（略）

项目编号

6（略）4（略）

立项年度

2（略）

立项时间

未（略）

研究期限

未（略） （略）

项目级别

国（略）

受资助金额

6（略）0（略）

学科

信（略）-（略）科（略）息（略）半（略）电（略）与（略）

学科代码

F（略）4（略）4（略）

基金类别

面（略）

关键词

光（略） （略）合（略）体（略）电（略） （略）料（略）化（略）导（略）能（略）

参与者

季（略）宗（略）明（略）明（略）吉（略）霞（略）雅

参与机构

南京工业大学；江苏第三代半导体研究院有限公司；中（略）院（略）米（略）纳（略）研（略）

项目标书摘要：高性（略）材料的生长，是制备（略）基光伏器件以及长波（略）然而，随In组分增（略）以及p型掺杂难题限（略）针对目前高质量高I（略）生长难题，基于分子（略）及超薄生长控制特点（略），利用金属调制外延（略）有效降低材料的位错（略）nGaN薄膜材料的（略）无相分离以及表面平（略）得In组分与生长条（略）；研究背景杂质的补（略）型掺杂方法；基于高（略）料生长，制备GaN（略）nGaN/InGa（略）探索器件性能与衬底（略）的顺利实施必将为高（略）N电池的制备奠定坚（略）

Applicati（略）: The suc（略）wth InGaN（略）ith high （略）osition i（略）to fabric（略）l-spectru（略）aic devic（略） GaN devi（略）d at the （略）ngth.Howe（略）erial qua（略）aN degrad（略）reasing i（略）sition an（略） refines （略）applicati（略）ject aime（略）owth diff（略）GaN to so（略）blem by u（略）lar beam （略）)growth.O（略） of GaN s（略）tal modul（略）xy will b（略）ecrease t（略）ion densi（略）perature （略）lso will （略）d to obta（略） quality （略）eparation（略） material（略）o get the（略）ip betwee（略）mposition（略） conditio（略）h mode.We（略）o decreas（略）nsation b（略）the backg（略）ity to de（略）ontrollab（略）oping met（略）he InGaN （略）N/InGaN a（略）GaN photo（略）ice will （略）ed.The ac（略）t of this（略）ll provid（略）undamenta（略）uture hig（略）y InGaN s（略）

项目受资助省

江（略）

项目结题报告(全文)

高性能高In组分I（略）制备覆盖全光谱的I（略）长波氮化物器件的必（略）分增加而导致的材料（略）题限制了其器件应用（略）高In组分InGa（略）分子束外延(MBE（略）特点，主要进行了以（略）用MBE生长高In（略）究了生长温度、生长（略）InGaN材料结晶（略）响。提高生长温度、（略）nGaN材料结晶质（略）度下，外延层中的I（略）分比线性增加。通过（略）入率随温度的变化曲（略）In组分随束流百分（略）不同In组分的In（略）了参考依据。采用金（略）材料并分析了In原（略）属调制法生长InG（略）表面的In原子层缓（略）长表面的冲击，周期（略）加了原子表面迁移时（略）料的结晶质量。采用（略）nGaN材料，有效（略）材料体系中的纵向延（略）时相互抵制，阻止位（略）低GaN 缓冲层中（略）InGaN材料中的（略）高In组分InGa（略）目组进行了Mg掺杂（略）杂，研究了不同Ga（略）影响。项目组进行了（略）装的研究，包括光刻（略），并进行了InGa（略）方面，项目组成功采（略）InGaN新型材料（略）热失配产生的应力问（略）一步提高InGaN（略）础。通过本项目研究（略）器件的开启电压降至（略）率可达1.74%,（略）值达到63.4%,（略）能电池在特定领域的（略）