项目来源

韩（略）科（略）

项目主持人

박（略）

项目受资助机构

삼（略）기（略）

立项年度

2（略）

立项时间

未（略）

项目编号

1（略）0（略）0（略）

项目级别

国（略）

研究期限

未（略） （略）

受资助金额

5（略）0（略）0（略）韩（略）

学科

未（略）

学科代码

未（略）

基金类别

2（略）론（略）구（略）업

关键词

未（略）

参与者

未（略）

参与机构

未（略）

项目标书摘要：연구（略）Vertical （略） 및 Planar（略） 동작 특성향상 （略）나노튜브의 Chi（略）의한 반도체성 C（略）-Tr Array（略） 나노튜브 FET（略）FET Array（略）연구■탄소 나노튜（略）ergy Band（略）립과 AAO Te（略） 탄소 나노튜브 （略）racteriza（略）al CNT-Tr（略）-memory 개（略） Simulato（略） ■Vertica（略）동작 및 plan（略）ry 동작 특성향（略）고집적 가능한 C（略）위 소자 설계-E（略）gap조절기술(E（略）)-CNT-mem（略）향상(이력곡선 개（略）rconnect와（略）가능성 제시 및 （略）소나노튜브의 ch（略） 의한 반도체성 （略）T-Tr arra（略）도체성 CNT 선（略）Band gap （略）에 의한 상온 작（略） transist（略）기술 개발■탄소 （略）소자 제작 및 F（略） 구동 시스템 연（略）평/수직 단위소자（略）ay 소자 구동 （略）노튜브의 결정성 （略）ndgap 조절 （略）template를（略）브 소자의 I-V（略）zation-합성（略）리에 의한 결정성（略）적용,doping（略）변화 등에 의한 （略）gap 조절-AA（略）노튜브 소자 제작（略）정-탄소 나노튜브（略）향상-탄소나노튜브（略）l CNT-Tr （略）memory 개발（略）NT-Tr(T>2（略）한 CNT-mem（略）conductan（略） Mobility（略）s Subthre（略）s:70mV/de（略）ect 특성 향상（略）        ■（略）한 수평 CNT （略）strain ef（略）sport 특성에（略） ■광전효과 측정（略）s-conduct（略）■Mobility（略）c 도달(이중겹 （略）구조 나노튜브 성（略）에 따른 CNT의（略）및 I-V 특성 （略） lead 사이에（略）chottky 장（略）화에 따른 CNT（略） 특성을 이론적으（略）ling Cell（略）olation