项目来源

国（略）重（略）

项目主持人

沈（略）

项目受资助机构

江（略）先（略）有（略）

项目编号

2（略）Z（略）0（略）0（略）

立项年度

2（略）

立项时间

未（略）

研究期限

未（略） （略）

项目级别

国（略）

受资助金额

1（略）4（略）万（略）

学科

极（略）集（略）制（略）及（略）艺

学科代码

未（略）

基金类别

未（略）

关键词

芯（略） （略）B（略） （略）胺（略）电（略）;（略） （略）曲（略）应（略） （略）p（略）p（略）i（略）e（略）e（略）t（略）l（略）n（略）o（略）r（略）s（略）l（略）o（略） （略）p（略） （略）t（略）s

参与者

宁（略）朱（略）陈（略）乐（略）

参与机构

中（略）院（略）系（略）息（略）究（略）旦（略）

项目标书摘要：圆片（略）SP)在电子产品领（略），特别是手机及掌上（略）片尺寸封装来说，在（略）层之间加入聚酰亚胺（略）de)已经被广泛的（略）BM与钝化层、以及（略）膨胀系数不同导致的（略）品的可靠性。然而,（略）的漏电流问题；这不（略），严重时会影响到产（略）聚酰亚胺的圆片级封（略）究变的越来越重要。（略）对PI固化工艺、溅（略）i湿法腐蚀、以及O（略）进行了系统的研究。（略）究发现:PI固化工（略）明显;RF刻蚀时间（略）法通过调整RF刻蚀（略）低的水平；增加Ti（略）度、以及腐蚀时间对（略）明显的帮助，最终漏（略）在Ti腐蚀后增加O（略）电流从18nA左右（略）。        （略）蚀处理，可以有效的（略）级封装产品的漏电流（略）至0.01nA 左（略）2nA的要求。另外（略）板制作等技术领域。

Applicati（略）: Wafer L（略）caled Pac（略）has been （略） in semic（略）dustry,es（略） cell pho（略）et.Polyim（略）ffer laye（略）ld improv（略）s which i（略）TE mismat（略） between （略）sivation,（略）tween pac（略）B,so reli（略）the devic（略）improved （略）ever,as t（略）e introdu（略）lyimide w（略）n current（略）oblem,whi（略）se additi（略）consumpti（略） impact t（略） of the d（略）rst case.（略） leakage （略）e-structu（略）evel pack（略） more and（略）tant.    （略） typical （略）tural whi（略） polyimid（略）ide,this （略） on the e（略）rrent lea（略）ing param（略）of radio （略）lasma etc（略） sputteri（略）lm,wet et（略） layer an（略） treatmen（略）etching. （略） the stud（略）ed that:t（略）obvious e（略）akage by （略）ring para（略）olyimide （略）tching do（略）ect on le（略）t is impo（略）educe lea（略）y margina（略）re is als（略）s effect （略）ng Ti etc（略）tration,e（略）erature o（略）,and fina（略）ill keep （略）nA.But if（略）added aft（略）ng,there （略）ant reduc（略）kage,whic（略）lower to （略）A.       （略）treatment（略）tching co（略）own the l（略）h exist o（略）-structur（略）could red（略）kage to a（略）,so it co（略）e require（略） complete（略）method,th（略）could be （略）substrate（略）n or othe（略）ndustry.

项目受资助省

江（略）