项目来源

韩（略）科（略）

项目主持人

정（略）

项目受资助机构

제（略）

项目编号

1（略）1（略）9（略）

立项年度

2（略）

立项时间

未（略）

研究期限

未（略） （略）

项目级别

国（略）

受资助金额

1（略）0（略）0（略）韩（略）

学科

未（略）

学科代码

未（略）

基金类别

지（略）산（略）

关键词

未（略）

参与者

未（略）

参与机构

未（略）

项目标书摘要：연구（略）가.전도성고분자잉（略）액 개발(Poly（略）노급 전도성증액 （略）00~5,000 （略） 개발(CNT:C（略）tube)나.공정（略）증가용 binde（略）000 회이상)-（略）er개발(모스경도（略）oating 공정（略）.플렉서블 기판개（略）5~230℃ 이상（略）하-가시광 투과율（略）    "(1)전（略）증가를 위한 무기（略）도성 폴리아닐린,（略） 용매를 통한 중（略） 1,000~5,（略）)-무기물 파우더（略）용액 혼합을 위한（略）-나노급 wire（略）용매화를 위한 분（略）o power 및（略）무기물 고형분 첨（略）선(고형분함량 1（略）성 용액의 점도 （略）한 증점제 개발-（略）간 화학반응을 방（略）하기 위한 3-r（略）기술 개발-용해된（略）bility(혼합（略）ng 에 의한 분（略）n)개선을 위한 （略）,000 cps （略）및 도전성을 잃지（略）도를 가질 수 있（略）(입자 10㎛ 이（略）가능하며 대량생산（略）공정기술 개발-공（略） 전도성 저하를 （略）정 개발(30㎛ （略） 가능한 인쇄공정（略）좋은 전도도 및 （略）기 위한 고른 인（略）기술개발(균일도 （略）성형과정에서 Fi（略）을 막고 높은 품（略）정밀한 온도분포가（略）정기술(소성온도 （略）      "가.（略）u 대체 기술:A（略）식성과 쉬운 증착（略）되어 사용되었으나（略）가이며 낮은 투과（略）가 제한적임-IT（略）sputter 방（略）은 In원소의 희（略）D등 디스플레이 （略）고 있어 가격의 （略）상됨.-ZnO 대（略） RF 플라즈마 （略）적으로 전도성을 （略）으나 높은 열처리（略）때문에 글래스 상（略） 대면적 생산이 （略）O에 비해 전도성（略）과가 기대됨 나.（略）명소자는 관련 기（略）을 일본이나 미국（略）정으로 기존 IT（略）른 무역역조현상이（略）들의 영세성과 제（略） 기술 및 해외경（略）수 있을 것으로 （略）서 투명전극용 잉（略）화 되고 있는 I（略）는 적임의 소재로（略） 성공 시 저가,（略）그 기술적,경제적（略）고 판단됨-국가 （略）스플레이 분야에서（略） 소재는 제작가격（略） 높아 액정 디스（略）동차 앞유리,광학（略） 응용이 가능할 （略） 투명필름의 용도（略）기계공업,자동차,（略） 산업분야에서 열（略）문에 산업에 미치（略）큼"