Исследование процесса · · · в полупроводниковых ·

项目来源

俄罗斯基础研究基金(RFBR)

项目主持人

Цыранов С.Н.

项目受资助机构

未公开

项目编号

10-08-96037

立项年度

2010

立项时间

未公开

项目级别

国家级

研究期限

未知 / 未知

受资助金额

未知

学科

未公开

学科代码

未公开

基金类别

(р_урал_а)(р_урал_а) региональный · · ·

关键词

未公开

参与者

未公开

参与机构

未公开

项目标书摘要:Аннотация к · · · последних 15 · · · УрО РАН · · · проведен цикл · · · положил начало · · · – сверхмощной · · · Отправной точкой · · · стало обнаружение · · · SOS-эффекта – · · · токов в · · · структуру p+ · · · n+ типа. · · · процесс обрыва · · · связан с · · · участков сильного · · · областях диода, · · · завершения процесса · · · остается заполненной · · · в базе · · · сочетать высокие · · · кА/см^2) с · · · отключения (1-10 · · · позволили как · · · до десятых · · · и снизить · · · до величин, · · · Таким образом, · · · установлено, что · · · ток плотностью · · · 10 кА/см^2 · · · 500 пс · · · при времени · · · десятков нс · · · проект направлен · · · теоретические исследования · · · предельно высоких · · · ходе работы · · · обрыва тока · · · при длительности · · · до сотен · · · проекта будет · · · сверхплотного тока · · · толщиной базы, · · · перехода и · · · зависимость параметров · · · тока и · · · тока, реализуемая · · · экспериментах будет · · · регистрации с · · · сотни пс. · · · предполагает исследование · · · при прохождении · · · диод. Модель · · · профиль легирования · · · распределение температуры · · · зависимость кинетических · · · поля, температуры · · · и легирующей · · · происходящих в · · · токов максимальной · · · перспективы по · · · прерывателей тока · · · их основе. · · · будет разработан · · · генератора на · · · прерывателя тока, · · · импульсы с · · · 1 ГВт.Аннотация · · · результатам реализации · · · проработка и · · · наносекундных генераторов · · · Получены следующие · · · на нагрузке · · · до 450 · · · нагрузке – · · · 1,5 кА, · · · полувысоте – · · · 60 нс, · · · от 0.4 · · · частота следования · · · кГц постоянно · · · кГц в · · · Произведен расчет, · · · системы регистрации. · · · системы регистрации · · · 0.5 нс. · · · отличающиеся толщиной · · · p-n перехода · · · SOS-диодов собраны · · · содержащие 60 · · · каждая из · · · от 0.03 · · · длину – · · · 350 мкм · · · p-n перехода, · · · от 145 · · · Проведено предварительное · · · динамики электронно-дырочной · · · SOS-диоде на · · · обрыва тока · · · до 64 · · · Во-первых, процесс · · · до выхода · · · базу структуры · · · сильного поля · · · представляет классический · · · уменьшение глубины · · · и площади · · · к снижению · · · и затягиванию · · · В-третьих, снижение · · · к росту · · · температуры в · · · оказывает негативное · · · коммутации. Однако, · · · для структур · · · площадью (0.01 · · · см^2) можно · · · отличии концентрации · · · время коммутации · · · 2 раза · · · нс соответственно). · · · можно добиться · · · энергии при · · · характеристиках.

  • 排序方式:
  • 1
  • /
  • 1.Op···ti···of···se···on···to···pe···g ···tc···t ···ra···h ···re···de···ti··

    • 关键词:
    • SPACE-CHARGE; SIMULATION; DIODES
    • Ly···ti···S.···;R···n,··· N···lo···ov···, ···G.···yr···v,··· N·
    • 《SE···ON···TO··》
    • 2012年
    • 46卷
    • 4期
    • 期刊

    Th···pe···io···f ···em···nd···or···en··· s···ch···OS···od···at···to···cu···nt···ns···es··· t··· o···A/···2)··· s···ie···In···pe···en··· t···ma···um···ve··· c···en···en···y ···ch···43···/c···) ··· s···la···o ···ns···xp···me···l ···a ···SO···io··· w··· a···(+···-n···(+···tr···ur···nd···p-···un···on···pt···ro···45··· 1···mu···ar···re···te···Th···yn···cs··· e···tr···ho···pl···a ···th···io···at···mp··· a···cu···nt···to···st···s ···st···ed··· n···ri··· s···la···n ···ho··· I···s ···wn···at···rr··· c···ff··· a···ci···d ···h ··· f···at··· o···n ···ct··· f···d ···io···n ···hi···si···ar··· 4···u ···la··· o···he···ru···re···he···ly···pe···-r···on···n ···ch···e ···ep··· c···en···ti···ex···ds···(1···cm···),···d ··· c···en···ut··· p···es···ep···s ···kl···n ··· p···ju···io···ep···

    ...
  • 排序方式:
  • 1
  • /