项目来源

国（略）科（略）(（略）C（略）

项目主持人

邓（略）

项目受资助机构

云（略）大（略）

项目编号

5（略）2（略）

立项年度

2（略）

立项时间

未（略）

研究期限

未（略） （略）

项目级别

国（略）

受资助金额

5（略）0（略）

学科

工（略）料（略）无（略）属（略）无（略）属（略）与（略）能（略）

学科代码

E（略）2（略）2（略）

基金类别

地（略）基（略）

关键词

热（略） （略）电（略）;（略）I（略）笼（略）;（略）材（略） （略）能（略）V（略）-（略）物

参与者

申（略）田（略）德（略）麒（略）蕊（略）利（略）勇

参与机构

云（略）大（略）；北京纳米能源与系统研究所；中国科学院电工研究所；西南林业大学

项目标书摘要：基于（略）基单晶笼合物具有较（略）曼法制备高性能大尺（略）合物热电材料，并对（略）进行研究。首先采用（略）从理论上研究Cu掺（略）结构及结构稳定性的（略）下降速率，生长炉温（略）参数制备出具有p和（略）合物，采用XRD、（略）FESEM等研究不（略）的影响，进而研究其（略）响，结合理论计算结（略）高性能(其中n型材（略）料ZT≥1.3)C（略）。最后在理论计算的（略）高温结构稳定性及相（略）律进行研究。本项目（略）热电材料及器件，对（略）热发电等具有重要意（略）

Applicati（略）: Based o（略）thermoele（略）rmance ZT（略）ed Sn-bas（略）I single （略）thrate,we（略）re to pre（略）erformanc（略）e type-VI（略）rystal cl（略）Bridgeman（略） the stud（略）gh-temper（略）lity will（略）ed out si（略）y.At firs（略）t of Cu d（略）he phonon（略）lectronic（略）and high-（略） stabilit（略）alculated（略）st Princi（略）lecular D（略）culations（略）e will tr（略）e p-type （略）Cu-dopped（略）arge size（略）stal clat（略）idgeman m（略）gh adjust（略）cent spee（略）le,temper（略）ibution o（略）nd the ra（略）ting mate（略）he study （略）ostructur（略）arried ou（略）man,EPMA,（略）o on.Ulte（略）effects o（略）ials'micr（略）on the th（略）c transpo（略）es will b（略）ased on t（略）cal calcu（略） Cu-doppe（略）type-VIII（略） single c（略）hrate wit（略）moelectri（略）ce ZT(ZT≥（略）ype condu（略）T≥1.3 for（略）duction)w（略）ared by a（略）d optimiz（略）hnique pr（略）st,under （略）e of theo（略）culations（略）emperatur（略） and the （略）ule of th（略）c propert（略）high temp（略）the obtai（略）ls will b（略）y the mea（略）iment.The（略）y which w（略）ied out i（略）ect has a（略）ificance （略）arch and （略）n of high（略）e medium-（略） thermoel（略）rials and（略）the large（略）mobile ex（略）ower gene（略）on the fa（略） heat pow（略）on.

项目受资助省

云（略）

项目结题报告(全文)

以Ge作为掺杂元素（略）笼合物的研究结果表（略）X=0.5的样品在（略）1.25,Ge原子（略）和24g位置；所有（略）体；随Ge含量增加（略）加、形成能和结合能（略）方向上的势能变化具（略）能量随笼子尺寸的减（略）Ba原子均偏离笼子（略）距离随Ge含量的增（略）用Mg(0≤X≤1（略）了VIII型Sn基（略）样品中填充原子Ba（略）Mg的名义含量X=（略）.93。Mg掺杂的（略）样品的功率因子在4（略）.26×10-3 （略）n自溶剂法合成Cu（略）a8Ga16-xC（略）1,2)单晶样品。（略）物的合成温度，随着（略）a8CuGa15S（略）整体向上移，带边结（略）d电子态的影响。采（略）掺杂I型和VIII（略）uxSn30(x=（略）Ba8Ga16Sn（略），加热到183℃时（略）Ga16Sn30;（略）16Sn30在高温（略）加入，稳定性降低,（略）1Sn30在加热到（略）II型；而VIII（略）Sn30在加热后冷（略）和Ba(Ga/Sn（略）后显示VIII型笼（略）Ga16Sn30的（略）b偏离笼子中心的平（略）Ga16Sn30的（略）于外层价电子含有f（略）6Sn30的态密度（略）的峰,VIII型S（略）稳定相，而I型是亚（略）I型两相之间不存在（略）剂通合成n型、p型（略）8Ga16Sn30（略）品ZT值低于白锡制（略）代Ba原子，当样品（略）的加入材料Seeb（略）