项目来源

国（略）科（略）(（略）C（略）

项目主持人

刘（略）

项目受资助机构

华（略）大（略）

项目编号

6（略）4（略）

立项年度

2（略）

立项时间

未（略）

项目级别

国（略）

研究期限

未（略） （略）

受资助金额

2（略）0（略）

学科

信（略）-（略）科（略）息（略）集（略）器（略）造（略）

学科代码

F（略）4（略）4（略）

基金类别

青（略）基（略）

关键词

M（略）;（略）点（略） （略）程（略）速（略） （略）s（略）工（略） （略）持（略） （略）n（略） （略） （略）o（略）;（略）A（略）O（略） （略）g（略）m（略）/（略）s（略） （略）e（略） （略）e（略）o（略） （略）r（略）n（略）o（略）g（略） （略）s

参与者

邹（略）雷（略）汪（略）卢（略）刘（略）程（略）

参与机构

武（略）大（略）

项目标书摘要：以高（略） MOS为基量子点（略）为研究目标，设计制（略）InxGa1-xA（略）GaAs栅堆栈结构（略）-xAs量子点的制（略）的确定。通过将未掺（略）调整In含量至合适（略）阻挡势垒，以实现最（略）层的合理减薄，达到（略）/擦除速度之目的；（略）最佳化，获得大的存（略）。由于HfO2高的（略）度获得小的隧穿层等（略）度提高的同时，获得（略）aON钝化层改善界（略）扎。将研究MOCV（略）最佳工艺和条件，研（略）点存储器原型样品。（略）有效结合，有望使器（略）0nm以下。

Applicati（略）: The pro（略）t small-s（略） MOS-base（略）ot(QD)non（略）mory with（略）,low oper（略）ge and lo（略）n.A new s（略） structur（略）2-InxGa1-（略）2-GaAs is（略）nd prepar（略）brication（略）es of the（略） QD and d（略）n of opti（略）layer thi（略）key resea（略）s.The opt（略）ing and b（略）riers are（略）hrough em（略） undoped （略）QD into H（略）usting In（略） a suitab（略） that the（略） charge t（略）asonably （略） the tunn（略）n be real（略）uce opera（略）e and enh（略）mming/era（略）A large m（略）w is achi（略）lize mult（略）ory by op（略） size and（略）on.A smal（略）t oxide t（略） the tunn（略）n be gott（略）ning a la（略）l thickne（略）arge k va（略） so that （略）peration （略）ood reten（略） obtained（略）ace prope（略）e HfO2/Ga（略）ved and t（略）vel pinni（略）nated by （略）TaON as i（略）passivati（略）e optimal（略）es and co（略） fabricat（略）cked gate（略）s and Inx（略）will be i（略） by using（略）od,and th（略） sample o（略）ant GaAs （略）s prepare（略）ected tha（略）of the ne（略）aAs MOS-b（略）ory can b（略） below 10（略）effective（略）n of the （略）QD with h（略）dielectri（略）

项目受资助省

湖（略）

项目结题报告(全文)

以高速低压长保持力（略）子点(QD)非挥发（略）有存储功能的新型栅（略）点研究了量子点的制（略）的确定。通过对Ga（略）界面特性，消除费米（略）面特性以实现隧穿层（略）作电压、提高编程/（略）子点制备工艺的优化（略），获得大的存储窗口（略）高k介质材料对隧穿（略）挡层进行材料选择与（略）势垒和阻挡势垒，可（略）的隧穿层/阻挡层等（略）度提高的同时，获得（略）应的GaAs量子点（略）于量子点与高k介质（略）工艺节点等比缩小到（略）