Формирование нанокластеров благородных металлов в сверхтонких пленках аморфного углерода под воздействием быстрых электронов и исследование их структуры и электронных свойств

项目来源

俄(略)础(略)金(略)B(略)

项目主持人

П(略)и(略).(略)

项目受资助机构

未(略)

项目编号

0(略)8(略)2(略)

立项年度

2(略)

立项时间

未(略)

研究期限

未(略) (略)

项目级别

国(略)

受资助金额

0(略)卢(略)

学科

未(略)

学科代码

未(略)

基金类别

((略) (略) (略)6(略)«(略) (略)ц(略)и(略)е(略)у(略)е(略)о(略)ы

关键词

未(略)

参与者

未(略)

参与机构

未(略)

项目标书摘要:Ан(略)аявке: В (略)кта стави(略)разработа(略)тодику и (略)закономер(略)рования i(略)воздейств(略)ысокоэнер(略)ектронов (略)нокластер(略)ных метал(略)тонкой уг(略)трице, яв(略)рспективн(略)лами для (略)оэлектрон(略)ьность да(略) обусловл(略)имостью р(略)ешевых и (略)нологий и(略) наномате(略)нострукту(略)ируемыми (略) что нево(略)детальног(略) механизм(略)ования и (略)вязи со с(略) свойства(略)ктов. Мет(略)тного имп(略)зерного о(略)ЛО) метал(略)да будут (略)ы сверхто(略), предста(略)ой одноро(略) аморфног(略)с различн(略)ацией ато(略)дных мета(略)g). Помим(略)ут сформи(略)следованы(略)остоящие (略)омов угле(略) металлов(略)спользова(略)ИЛО дает (略) создания(略)ринципиал(略)ваемых эл(略)я формиро(略)ластеров (略)ахороненн(略)дной матр(略)использов(略)хода: воз(略)ектронног(略)нергией 2(略)освечиваю(略)нном микр(略)рмический(略)кууме. Об(略)ействия п(略)ародышеоб(略) росту на(略) металла (略)родной ма(略)ствие объ(略)зии. Варь(略)раметров (略)о и элект(略)га позвол(略)анть анса(略)астеров с(略)аспределе(略)мерам и р(略) Регистра(略)ия и кине(略)нанокласт(略)ов будет (略)ся методо(略)ающей эле(略)кроскопии(略)азрешения(略)еального (略)situ в пе(略) и ex sit(略). Методом(略)электроно(略)ледовано (略)тояние на(略) и перехо(略)ой в крис(略) фазу. Ст(略)амбля нан(略) сформиро(略)м термиче(略)ствия в р(略)ратурных (略)будет сра(略)руктурой (略)е электро(略)ения с ра(略)тностью э(略) пучка. М(略)геновской(略)онной спе(略)будет исс(略)ектронная(略)и химичес(略)нанокласт(略)зультатам(略) эксперим(略)анных буд(略)ены закон(略)ормирован(略)нанокласт(略)одных мет(略)рхтонком (略)ого углер(略)действием(略)ектронов.(略)ю предлаг(略)кта являе(略)ование ор(略) способа (略)я нанокла(略)воздейств(略)ергетично(略)ного пучк(略)нного впе(略) того, кл(略)нтом данн(略) является(略)ние элект(略)ка одновр(略)в качеств(略)го к форм(略)нострукту(略)воздейств(略) качестве(略)уализирую(略)уктуру в (略)ьного вре(略)ция к отч(略)льтатам р(略)роекта: Ц(略) является(略) эксперим(略)исследова(略)а зародыш(略)я и роста(略)ров благо(略)ллов в св(略)лое аморф(略)да при во(略)ысокоэнер(略)ектронов (略) пленку в(略)одной сме(略)глерода и(略)формирова(略)м импульс(略)ого осажд(略)е выполне(略) этапа ра(略) комплекс(略)лектронно(略)етра XSAM(略) проведен(略) режимов (略) лазерног(略) для полу(略)тонких ам(略)родных пл(略)ой толщин(略) заданной(略)ией атомо(略)овлена се(略)в углерод(略)на поверх(略)с различн(略)ацией ато(略)зличными (略)аждения. (略)М и РФЭС (略)нтроль ст(略)имическог(略)ленок. Пр(略)перименты(略)ию получе(略) быстрыми(略)и (180 кэ(略)е просвеч(略)ектронног(略)а JEM 200(略)ящему к ф(略) наноклас(略)углеродно(略)Получены (略)еские изо(略)енок при (略)ени облуч(略)ден анали(略)х данных (略) распреде(略)овавшихся(略)ой матриц(略)еров Au п(略)и расстоя(略)жайших со(略)чены зави(略)ловой пло(略)еднего ра(略)еров Au о(略)блучения.(略)что испол(略)окусирова(略)ронного п(略)ктерные в(略)ессов фор(略) роста на(略) позволяю(略)овать сре(略) кластеро(略) их образ(略)кальность(略)ваемой ра(略)тронного (略)ерименты (略)кому ваку(略)гу исходн(略)онентных (略) показали(略)вие элект(略)ка аналог(略)ескому от(略)а. На осн(略)ных данны(略)вод о том(略)рование н(略)в обуслов(略)ным нагре(略) электрон(略)

  • 排序方式:
  • 1
  • /
    (略)
  • 排序方式:
  • 1
  • /