项目来源

台湾省政府科研基金(GRB)

项目主持人

王程麒

项目受资助机构

台湾省群创光电股份有限公司

立项年度

2020

立项时间

未公开

项目编号

109CC01

研究期限

未知 / 未知

项目级别

省级

受资助金额

5165.00千元台币

学科

材料科技；电子电机工程；物理

学科代码

未公开

基金类别

技术发展/补助办理

关键词

扇出型封装 ; 铜—铜对接 ;

参与者

许文东；林士刚

参与机构

未公开

项目标书摘要：近年来，因应市场需求，先进电子封装制程技术日趋精密且复杂；为了达到低耗能、高速讯号传输、尺寸微型化的诉求，跳脱摩尔定律框架的系统级封装技术(System in Package,SiP)成为注目焦点。SiP 是透过晶片垂直或并排堆叠的方式，达到2.5D/3D IC 封装技术整合异质基板；其中，将矽穿孔(through-silicon via,TSV)或是玻璃穿孔(through-glass via,TGV)进行铜凸块对铜凸块接合(Cu-to-Cu bonding),达成元件内部垂直方向的导通线路，将可大幅度的降低讯号传输距离，降低电流讯号传输时的功率损耗。然而，现行铜—铜接合技术在接合後容易在接合接面形成导电性不佳且具有脆性的介面金属共化物(intermetallic compound,IMC)。在元件尺寸微型化的诉求下,2.5D/3D 高阶半导体封装元件中的铜凸块尺寸也不断地缩小，因此在铜—铜凸块对接之後容易使整个铜凸块形成介面金属共化物，因而降低铜—铜接面的机械强度、电传导性。另外，在元件使用时IC 内部或铜凸块接面可能产生局部高温而逐渐使整个铜凸块渐渐形成介面金属共化物，因此铜—铜接面的机械强度、电传导性之可靠度问题也备受考验。本计划将基於学研机构研究成果，以镓(Ga)作为铜—铜接合之焊料进行铜—铜接合，并达成无介面金属共化物之高机械强度及高可靠度的铜—铜接面。计划中，将是针对接合焊料进行开发及接合制程优化，同时将针对接合结构中必备之镍(Ni)层进行制程开发及特性分析，并分析及探讨Ga 基浆料与Ni 薄膜对铜—铜接合接面特性的影响。最後，进行铜—铜接合结构之可靠度测试，探讨铜—铜接合接面可靠度特性与配Ga 基浆料、Ni 薄膜之间的关系。因此，透过此计划，将可使相关材料及制程条件达成优化，将可达到高机械强度及高可靠度的铜—铜接面。

项目受资助省

台湾省