项目来源

台（略）府（略）金（略）B（略）

项目主持人

王（略）

项目受资助机构

台（略）创（略）份（略）司

项目编号

1（略）C（略）

立项年度

2（略）

立项时间

未（略）

研究期限

未（略） （略）

项目级别

省（略）

受资助金额

5（略）.（略）元（略）

学科

材（略）；（略）机（略）物（略）

学科代码

未（略）

基金类别

技（略）/（略）理

关键词

扇（略）装（略）铜（略）接（略）

参与者

许（略）林（略）

参与机构

未（略）

项目标书摘要：近年（略）电子封装制程技术日（略）低耗能、高速讯号传（略）跳脱摩尔定律框架的（略）tem in Pa（略）为注目焦点。SiP（略）堆叠的方式，达到2（略）装技术整合异质基板（略）rough-sil（略）V)或是玻璃穿孔(（略）ss via,TG（略）接合(Cu-to-（略）,达成元件内部垂直（略）幅度的降低讯号传输（略）时的功率损耗。然而（略）接合後容易在接合接（略）脆性的介面金属共化（略）llic comp（略）元件尺寸微型化的诉（略）高阶半导体封装元件（略）缩小，因此在铜—铜（略）铜凸块形成介面金属（略）接面的机械强度、电（略）用时IC 内部或铜（略）温而逐渐使整个铜凸（略）物，因此铜—铜接面（略）可靠度问题也备受考（略）构研究成果，以镓(（略）焊料进行铜—铜接合（略）物之高机械强度及高（略）划中，将是针对接合（略）优化，同时将针对接（略）)层进行制程开发及（略）Ga 基浆料与Ni（略）特性的影响。最後，（略）靠度测试，探讨铜—（略）配Ga 基浆料、N（略）此，透过此计划，将（略）达成优化，将可达到（略）铜—铜接面。

项目受资助省

台（略）