저차원 물질을 이용한 배리스터 소자 연구

项目来源

韩(略)科(略)

项目主持人

정(略)

项目受资助机构

건(略)교

项目编号

1(略)0(略)5(略)

财政年度

2(略),(略)3

立项时间

未(略)

研究期限

未(略) (略)

项目级别

国(略)

受资助金额

1(略)6(略)0(略)韩(略)

学科

未(略)

学科代码

未(略)

基金类别

신(略)자(略)

关键词

未(略)

参与者

未(略)

参与机构

未(略)

项目标书摘要:연구(略)근 2차원 금속과(略) 물질의 접합으로(略)또는 터널링 트랜(略)소자가 제시되었다(略) 대한 연구는 동(略) 조합만 밝혀 졌(略)능성이나 한계에 (略)족하다.더 근본적(略)리에 대한 연구도(略) 연구에서는 다양(略)용하여 배리스터를(略)원리를 밝히고자 (略)소자를 저 전압,(略)한지 확인하고자 (略)재 한계에 도달하(略)지스터에 대한 대(略)가능성에 대해서 (略)      본 과(略)게 두 축으로 접(略) 배리스터 소자에(略) 하나는 소자를 (略) 연구이다.소재에(略)에 특정 반(부)(略) 시편위에서 옥사(略)가지게 되는 광학(略)고 이를 이용하여(略) 두께를 찾아낸다(略)한 장의 반(부)(略)2차 년도에는 이(略)양한 물질 접합에(略) 배리어의 크기를(略)질 간의 Ferm(略)ning 현상에 (略)다.다른 한 축인(略) 년도에 소자연구(略)을 setup하고(略)는 SPM을 소자(略)이다.2차년도에는(略)의 큰 부담 없이(略) 소자를 측정하고(略)역의 표면 또는 (略)를 측정하여 소자(略)이다.3차 년도에(略)소재 소자 연구 (略)깊이 있게 소자의(略) 진행할 예정이다(略)서는 저 전압,저(略)한지 확인하는 데(略).이를 통해서 현(略)대체할 수 있는 (略)한다.      (略) 태동기에 있는 (略)칭 원리에 대한 (略) 실리콘 트랜지스(略)소자로써의 위치를(略).아울러 학문적으(略)합에 대한 이해를(略)이를 통해서 보다(略)반도체 접합을 만(略)제시할 수 있을 (略) 소자의 동작 원(略)ing 현상을 연(略)질간의 Fermi(略)ing 현상에 대(略)수 있을 것이다.

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    (略)
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