异质功率器件组合型多电平电路的拓扑演化方法与混频调制技术研究
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1.异质功率器件混合型多电平变换器拓扑衍生与调制优化
- 关键词:
- 异质功率器件混合型变换器;多电平变换器;碳化硅MOSFET;拓扑衍生;调制;软开关;中压系统
- 张一凡
- 指导老师:浙江大学 何湘宁
- 0年
- 学位论文
大容量电力电子变换器是电气化交通、交直流输配电、大型数据中心和国防军事装备等国家重点发展领域中的电能转换与高效利用的基础与核心。多电平变换器具有功率器件电压应力小、波形质量好、功率密度高等优点,是实现中压大容量交流-直流电能变换的优选解决方案,在工业界得到广泛应用。然而,随着常用的硅基功率器件逐渐逼近其理论极限,基于硅基器件的多电平变换器性能已很难进一步提升。以碳化硅MOSFET为代表的高性能宽禁带器件受高价格制约,仍未实现大规模商业化应用。针对以上问题,本文基于碳化硅和硅器件混合应用的异质功率器件混合型多电平变换器方案,深入研究其拓扑构造衍生方法与调制策略,提出一系列异质器件混合型多电平变换拓扑及其优化调制方法,为大容量高性能电力变换场合提供高性能低成本解决方案。首先,提出了异质功率器件混合型多电平变换器拓扑构造方法与通用调制策略。所提出的拓扑构造方法包含了基本单元的定义,保证混合型拓扑结构的基本准则,以及衍生混合型拓扑的特定步骤。基于此,提出了一系列异质功率器件混合型拓扑。通过选择这些混合型拓扑的冗余开关状态,提出了一种异质功率器件混合型拓扑的通用调制策略,可将高频的开关切换都集中于碳化硅器件上。仿真和实验验证了所提出拓扑衍生方法和通用调制策略的有效性,从而为新拓扑的提出提供指导。其次,提出了硅二极管-碳化硅MOSFET异质功率器件混合型整流器。所提出的整流器每相电路仅需要四个具有较低阻断电压的碳化硅MOSFET。同时由于缓冲电容的存在,所有的硅二极管均等效工频动作,并且碳化硅MOSFET能够被有效箝位。本文详细分析了该异质功率器件混合型整流器的工作原理,进一步提出了其调制和控制策略,保证了整流器电容电压平衡以及单位功率因数输出。仿真和实验验证了所提出混合型整流器的有效性。所提出的整流器在效率和成本方面的优势被评估和证明。最后,提出了基于异质功率器件混合型四电平变换器的多步软开关调制策略。本文根据所提出的异质功率器件混合型变换器拓扑构造方法衍生得到了异质功率器件混合型四电平逆变器和整流器,其每相电路仅需要两个碳化硅MOSFET。分别针对这两种混合型拓扑,详细分析了其在多步软开关调制策略下的换流过程。所提出的调制策略,同时实现了混合型四电平变换器中所有硅器件的软开关和直流母线中点电压的平衡。仿真验证了本文所提出的调制策略的可行性和有效性。
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