项目来源

国（略）科（略）(（略）C（略）

项目主持人

郑（略）

项目受资助机构

福（略）大（略）

立项年度

2（略）

立项时间

未（略）

项目编号

6（略）6（略）

项目级别

国（略）

研究期限

未（略） （略）

受资助金额

2（略）0（略）

学科

信（略）-（略）科（略）息（略）半（略）电（略）与（略）

学科代码

F（略）4（略）4（略）

基金类别

青（略）基（略）

关键词

M（略）O（略）透（略）薄（略） （略）;（略） （略）外（略） （略）g（略） （略）明（略）膜（略）日（略） （略）;（略）探（略）

参与者

黄（略）伦（略）继（略）启（略）召（略）嘉（略）

参与机构

中（略）院（略）质（略）究（略）

项目标书摘要：面阵（略）网电晕监测、导弹预（略）景，是目前国民经济（略）MgZnO合金薄膜（略）-7.8 eV),（略），是制备日盲紫外探（略）而，由于稳定的p型（略）难，无法制备p-i（略）测器。目前报道的Z（略）指式结构，无法实现（略）一步发展。本申请提（略）材料制备MgZnO（略）法。该方法的核心在（略）高导、高日盲紫外光（略）电薄膜。申请者提出（略）性材料，并在此基础（略）MgZnO日盲紫外（略）MgZnO日盲紫外（略）

Applicati（略）: Focal p（略）blind ult（略）otodetect（略） attracte（略）ntion for（略）ns to ele（略）rk monito（略）ssile war（略）s.MgZnO f（略）omising m（略） fabricat（略） it has w（略）p range t（略）3.3 to 7.（略）gh optoel（略）sponsivit（略）t is hard（略）stable p-（略）sed film,（略）,fabricat（略）n SBPD wi（略） structur（略）a problem（略） reported（略）SBPDs are（略）al-semico（略）al struct（略）an not be（略）to focal （略）s.In this（略）new type （略）t p-type （略）aterial i（略）to realiz（略）cation of（略） focal pl（略）Fabricati（略）conductiv（略）d MgZnO f（略）gh transm（略）the solar（略）tral rang（略）y issue o（略）ct.We try（略） the key （略） a two-st（略）and then （略）ackillumi（略）cal struc（略）SBPD.Furt（略）ackillumi（略）-blind fo（略）rrays can（略）d.

项目受资助省

福（略）

项目结题报告(全文)

高Mg组分的MgZ（略）性能良好的日盲紫紫（略）针对已有MgZnO（略）金属—半导体—金属（略）的问题，进行了垂直（略）探测器的设计和探索（略）长了高Mg组分(>（略）金薄膜，制备了单一（略）1-xO合金薄膜，（略）之间的对应关系。生（略）xZn1-xO(A（略）研究不同的退火气氛（略）ZO薄膜光学和电学（略）Zn气氛退火的微观（略）超宽带隙高载流子浓（略）膜；采用改进的AM（略）层膜结构，进一步提（略）了Al:MgxZn（略）)超宽带隙透明导电（略）导电层的禁带宽度大（略）度达到5.03×1（略）薄膜的电阻率为9.（略）cm。超宽带隙日盲（略）解决了传统ITO和（略）问题，可应用于深紫（略）器件的透明导电层，（略）学性能。探索了Mg（略）工工艺，探明了Zn（略），制备垂直结构的M（略）单元和4×4元焦平（略）应峰在252nm,（略）,均处于日盲响应波（略）响应度为113.4（略）外探测器的原型机，（略）电晕中日盲紫外信号（略）可应用于日盲紫外信（略）灾报警、环境紫外辐（略）闪信号监测和导弹来（略）索，基于本项目制备（略），制备了垂直结构的（略）测器单元和面阵器件（略）需外加偏压，减少了（略）作在更加恶劣的环境（略）O紫外探测器制备的（略），制备了其他宽禁带（略）Ga2O3)的紫外（略）