Новый подход к изучению неравновесных свойств топологических изоляторов

项目来源

俄(略)础(略)金(略)B(略)

项目主持人

Т(略)н(略)Е(略)н(略)е(略)е(略)

项目受资助机构

未(略)

立项年度

2(略)

立项时间

未(略)

项目编号

1(略)2(略)8(略)

项目级别

国(略)

研究期限

未(略) (略)

受资助金额

0(略)卢(略)

学科

未(略)

学科代码

未(略)

基金类别

((略)л(略))(略)о(略)»(略)о(略)р(略)а(略)ы(略)р(略)т(略) (略)о(略)е(略) (略)о(略)и(略)е(略)и

关键词

未(略)

参与者

未(略)

参与机构

未(略)

项目标书摘要:Ан(略)аявке: В (略)кта плани(略)ериментал(略)ование не(略) свойств (略)оверхност(略)ий в топо(略)изолятора(略)ых структ(略)основе. О(略)то при по(略)ия второг(略)оковых фл(略)дет получ(略)информаци(略)ме провод(略)з интерфе(略)водник/тр(略)пологичес(略)р, не оче(略)егодняшни(略)бычных тр(略)измерений(略)го, измер(略)го шума б(略)ено для и(略) процессо(略)и в краев(略)ностных с(略)опологиче(略)оров. В э(略) наблюден(略)ие основн(略)ческих св(略)дных стру(略)венно огр(略)цессами р(略)истемы к (略)остоянию,(略)зучение т(略)сов предс(略)ественный(略)акже есть(略)основания(略)что в кра(略)ниях двум(略)огических(略) имеют ме(略)нно сильн(略) дефазиро(略)лает пров(略)й неупруг(略)в релакса(略)случае ос(略)альной.Ан(略)тчету по (略) реализац(略) Основной(略)оекта был(略)нтальное (略)е неравно(略)ств нанос(略)основе ма(略)редсказан(略)ологическ(略)ы (ТИ). Р(略)двумерных(略)квантовых(略)евой пров(略)редположи(略)логическо(略)а также о(略)гибридных(略) из трехм(略) топологи(略)лятора Bi(略)рмального(略)проводяще(略) 1. Эффек(略)между пов(略) состояни(略) обычным (略)ником со (略) s-типа м(略)ить к воз(略)на границ(略) S/TI стр(略)ищелевых (略)в том чис(略)ких связа(略)й c нулев(略) возбужде(略)ьным при (略)ится изме(略)рического(略)му что за(略)нспорт в (略) сверхпро(略)унтирован(略) шум позв(略)ть теплов(略)конвертир(略)ктрически(略)ы изучали(略)N/TI/N и (略)ктуры (N=(略)ьный мета(略)сверхпров(略) поверхно(略)яния топо(略) изолятор(略)ионной пр(略) по повер(略)стояниям (略)е флуктуа(略)нулевом м(略)ле в N/TI(略)ах позвол(略)вить режи(略)ого отраж(略) по удвое(略)вного зар(略)ей тока. (略) здесь то(略)р Фано в (略)е FNS=0.2(略)значитель(略)нормально(略). Такое н(略)видетельс(略)носительн(略)ективном (略)N/TI/S ст(略)сравнению(略)ым случае(略)ыть обусл(略)чной тепл(略)ью по сос(略)три щели (略)ых состоя(略)веденной (略)имостью. (略)я токовог(略)/S структ(略)м и доста(略)ом магнит(略)м также у(略)ечь и вел(略)енной щел(略)оказалась(略)о всех ис(略)ся образц(略)случая 2D(略)предсказы(略)вование п(略)ных гелик(略)лов на ка(略)е структу(略)льным диэ(略)Упругое р(略)з перевор(略)ежду этим(略)запрещено(略)сткой свя(略) и спина (略)В экспери(略)с о механ(略)го трансп(略)е менее, (略)крытым, т(略)альных ст(略)противлен(略)астую отл(略)квантован(略)ия h/e^2 (略)табе 1 мк(略)бще оказы(略)стижимым.(略), в отсут(略)страции н(略) от длины(略)а судить (略)еском мех(略)спорта по(略) сопротив(略)нтованным(略)невозможн(略)ерки меха(略)порта мы (略)альтернат(略)рий — нео(略)зануления(略)ума балли(略)проводник(略)рименталь(略)короткие (略)тояния, р(略)е в обедн(略)ти латера(略)перехода (略)й затвора(略)е, выполн(略) нм HgTe (略)ме в виде(略)ранзистор(略)ожении до(略)рицательн(略)ния к зат(略)тивление (略) p-n пере(略)их структ(略)ось близк(略) с линейн(略)перной ха(略)ой, что м(略)ельствова(略)то трансп(略)ется чере(略)еские гел(略)аевые сос(略) проверки(略)юдения мы(略)измерения(略)уктуаций (略)е темпера(略) 0.8 К), (略)нципиальн(略) отличить(略)ский и ди(略)транспорт(略)онстриров(略)ковые флу(略) переходо(略)но подавл(略)нению с д(略) упругим (略)о также с(略)ует в пол(略)ьных балл(略) а не три(略)аевых сос(略)лиография(略)в авторск(略).

  • 排序方式:
  • 0
  • /
    (略)
  • 排序方式:
  • 0
  • /