상온 반도체 방사선 검출기 InI의 개선 연구
项目来源
韩(略)科(略)
项目主持人
임(略)
项目受资助机构
고(略)교
项目编号
1(略)0(略)6(略)
立项年度
2(略)
立项时间
未(略)
研究期限
未(略) (略)
项目级别
国(略)
受资助金额
5(略)0(略)0(略)
学科
未(略)
学科代码
未(略)
基金类别
원(略)구(略)충(略)
关键词
未(略)
参与者
未(略)
参与机构
未(略)
项目标书摘要:연구(略) 상온에서 1.9(略)격과 351도의 (略)점과 낮은 증기압(略)I의 특성은 최적(略)임.● 선행연구에(略)이동도와 수명의 (略)obility-l(略)duct)은 10(略) CdTe 계열의(略) 10 배정도 우(略)정제 및 성장방법(略)적이며 보다 우수(略)작 가능성을 기대(略)대역 정제(zon(略)횟수를 50번 이(略) 순도를 6-7N(略)진행.● 대역정제(略)travellin(略)one melti(略)을 시행.성장 속(略)성을 평가.● I(略) 연마를 기존의 (略) 과정을 거침.I(略)새로운 연마과정이(略)대한 방안 강구.(略) 대신 다른 전극(略)구.● Pulse(略)럼을 측정해 In(略)특성 분석. (略)인 소재를 이용해(略)기 대비 컴팩트하(略)사선 검출기의 제(略)의료장비를 새로운(略)의료피폭에 의한 (略)
- (略)