项目来源

韩（略）科（略）

项目主持人

임（略）

项目受资助机构

연（略）교

项目编号

未（略）

立项年度

2（略）

立项时间

未（略）

研究期限

未（略） （略）

项目级别

国（略）

受资助金额

3（略）0（略）.（略）元

学科

未（略）

学科代码

未（略）

基金类别

산（略）기（略）

关键词

未（略）

参与者

未（略）

参与机构

未（略）

项目标书摘要：연구（略）창적으로 설계한 （略）ternal Re（略）R)FT-IR 경（略）단위의 표면 분석（略）한 용액을 이용하（略）을 형성하는 기술（略）면의 안정성을 평（略） 방법을 제시함.（略）Atomic La（略）ion(ALD)중（略）산화 반응 기구를（略）어하는 기술을 개（略）k 계면의 특성 （略）oxide 상태를（略）따른 high-k（略） 연구함.이를 기（略）반 시스템반도체의（略） 처리 분석 및 （略）ALD와 관련된 （略）.        （略） FT-IR 용도（略）ystal을 정밀（略） 표면 분석을 위（略）R 장비를 셋업하（略）밀 분석을 위한 （略）ternal re（略）를 설계HF의 농（略）른 수소 종단의 （略）에 따른 변화를 （略） 제작공정에 효과（略）수소 종단 Ge （略）형성을 시간에 따（略）면의 안정성 평가（略）(NH4)2S 등（略）용하여 Ge-할로（略）단 표면을 형성하（略）가Ge-할로겐 종（略）면의 자연 산화 （略）성을 평가하여 효（略）고안수소,할로겐,（略） high-k 물（略）는 영향에 대한 （略）Ge/high-k（略） suboxide（略）태를 분석하고 s（略）을 제어하는 기술（略）k 계면의 sub（略）는 분자구조가 h（略）정구조에 미치는 （略）l2O3 등 다양（略）을 도입하여 AL（略） 물질의 변화에 （略）비교 연구 Ge （略）on된 high-（略）따른 안정성 및 （略）       표면（略）계면 특성 분석 （略） 재료의 평가에 （略）및 ALD 공정을（略）재료의 도포 공정（略） 기반 시스템 반（略）에 활용2（略）（略） 시장 273억불（略）2,677억불향후（略） 2008년 3,（略） 3,145억불,（略）억불로 3년간 약（略）도체 시장은 Si（略）가 점유하고 있으（略） 소자 개발 시 （略）대체 및 새로운 （略）도체 시장 형성현（略）획이 없으나,핵심（略）술이전 형식으로 （略）의 반도체 제조 （略）가 가능원천기술 （略）가 희소하여 세계（略）확보가능